1. 掩膜材料:在半导体制造过程中,需要使用掩膜来进行光影刻蚀,以定义芯片上的电路结构。由于掩膜需要承受高温的热处理,以及较长时间的紫外光照射,因此钨、钼等难熔材料常被用作掩膜材料,因为它们具有较高的熔点和良好的热稳定性。
2. 电子互连材料:钨、钼等难熔材料也广泛用于半导体器件的电子互连结构中,如金属线、电极等。这些材料具有较低的电阻率和良好的热稳定性,在需求高电流密度和高温环境下表现出色。
3. 输运极材料:在一些功率半导体器件中,如功率MOSFET和IGBT,需要使用具有较高热导率和较低电阻率的输运极材料。钨、钼等难熔材料由于其出色的热传导性能和电导性能,被广泛应用于这些器件中。
4. 热障材料:随着半导体器件尺寸的不断缩小,集成电路的热管理变得尤为重要。钨、钼等难熔材料被用作热障材料,可以极大地降低局部热传导,提高芯片的热工性能。
总之,钨、钼等难熔材料由于其优异的热稳定性、电导性能和热传导性能,在半导体领域中被广泛应用于掩膜材料、电子互连材料、输运极材料和热障材料等关键应用中。这些材料的应用有助于提高半导体器件的性能和可靠性。