1. 掩膜材料：在半导体制造过程中，需要使用掩膜来进行光影刻蚀，以定义芯片上的电路结构。由于掩膜需要承受高温的热处理，以及较长时间的紫外光照射，因此钨、钼等难熔材料常被用作掩膜材料，因为它们具有较高的熔点和良好的热稳定性。

2. 电子互连材料：钨、钼等难熔材料也广泛用于半导体器件的电子互连结构中，如金属线、电极等。这些材料具有较低的电阻率和良好的热稳定性，在需求高电流密度和高温环境下表现出色。

3. 输运极材料：在一些功率半导体器件中，如功率MOSFET和IGBT，需要使用具有较高热导率和较低电阻率的输运极材料。钨、钼等难熔材料由于其出色的热传导性能和电导性能，被广泛应用于这些器件中。

4. 热障材料：随着半导体器件尺寸的不断缩小，集成电路的热管理变得尤为重要。钨、钼等难熔材料被用作热障材料，可以极大地降低局部热传导，提高芯片的热工性能。

总之，钨、钼等难熔材料由于其优异的热稳定性、电导性能和热传导性能，在半导体领域中被广泛应用于掩膜材料、电子互连材料、输运极材料和热障材料等关键应用中。这些材料的应用有助于提高半导体器件的性能和可靠性。